フォトレジストの表面処理装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-353387
公開番号（公開出願番号）：特開平10-149982
出願日： 1996年11月20日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板等に塗布されたフォトレジストの表面のみを良好に改質できる処理装置を提供すること。【解決手段】管壁負荷が0.3W/cm2 以下の誘電体バリア放電と利用したエキシマランプ1(1a、1b、1c・・)から主に172nmの真空紫外光を放射して、フォトレジストの表面のみを改質処理するとともに、波長170nm〜波長200nmの範囲外の放射光によって実質的にフォトレジストと反応させることのない処理装置。または、低圧水銀ランプから放射される波長185nmの真空紫外光と波長185nmの紫外光を、波長185nmに対する透過率が波長254nmに対する透過率より大きい光学フィルタを介してフォトレジストを照射するとともに、このフォトレジストの表面における波長185nmの真空紫外光の強度は波長254nmの紫外光の強度の10倍以上であり、波長光のための放電を生じせしめていない期間(Tb)とを交互に繰り返すように交流の高電圧を印加することを特徴とする誘電体バリア放電装置。

請求項（抜粋）：

管壁負荷が0.3W/cm2 以下である誘電体バリア放電を利用したエキシマランプから主に172nmの真空紫外光を放射して、この真空紫外光によってフォトレジストの表面のみを改質処理するとともに、波長170nm〜波長200nmの範囲外の放射光によって実質的にフォトレジストとの反応をさせることのないフォトレジストの表面処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 568 , G03F 7/20 521

引用特許：

出願人引用 (13件)

半導体の処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-273122 出願人：松本智, ウシオ電機株式会社
表面処理方法及び表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-264510 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-007353

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