特許
J-GLOBAL ID：200903046019939796

フォトレジストパターンをマスクに利用するエッチング方法

発明者：
李 ▲ソン▼ 權

李 ▲ソン▼ 權 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (1件)： 三枝 英二 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-184629
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133295
出願日： 2002年06月25日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 157nmないし193nm波長の光源、例えば、ArFレーザまたはフッ化(F2)レーザ光源を利用して形成されたフォトレジストパターンの変形を防止でき、より微細なパターンを形成できるエッチング方法を提供する。【解決手段】 フォトレジストパターンをエッチングマスクに利用するエッチング方法において、エッチング対象膜上にフォトレジストを塗布する工程と、波長が157nmないし193nmである光源でフォトレジストを露光した後、現像してフォトレジストパターンを形成する工程と、CXFYまたはCxHyFz(X、Y、Z=1〜10)の中で選択されたフッ素系ガス、Ar及びO2からなる混合ガスを用いてフォトレジスト表面にポリマー形成と同時にエッチング対象膜の一部をエッチングする工程と、ポリマー及びフォトレジストをエッチングマスクに利用してエッチング対象膜をエッチングする工程とを含む。
請求項（抜粋）：
フォトレジストパターンをエッチングマスクに利用するエッチング方法において、エッチング対象膜上にフォトレジストを塗布する工程と、波長が157nmないし193nmである光源で前記フォトレジストを露光した後、現像してフォトレジストパターンを形成する工程と、CXFYまたはCxHyFz(X、Y、Z=1〜10)の中で選択されたフッ素系ガス、Ar及びO2からなる混合ガスを用いて前記フォトレジスト表面にポリマー形成と同時に前記エッチング対象膜の一部をエッチングする工程と、前記ポリマー及び前記フォトレジストをエッチングマスクに利用して前記エッチング対象膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とするエッチング方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3065 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108
FI (5件)：
G03F 7/40 521 ,  H01L 21/302 105 A ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/88 D ,  H01L 27/10 681 B
Fターム (50件)：
2H096AA25 ,  2H096BA20 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA15 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004EA04 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F004FA02 ,  5F004FA04 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ15 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK03 ,  5F033KK04 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ26 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR15 ,  5F033VV16 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033WW07 ,  5F033XX03 ,  5F046CA08 ,  5F046LA18 ,  5F046LA19 ,  5F083JA39 ,  5F083KA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083PR01
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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