CVDナノ多孔性シリカの低誘電率膜

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-577707
公開番号（公開出願番号）：特表2002-528893
出願日： 1999年10月21日
公開日（公表日）： 2002年09月03日
要約：

【要約】ナノ多孔性低誘電率の膜を、オプションで熱的に不安定な有機原子団を有する水素化ケイ素含有化合物または混合物と過酸化物化合物との基板の表面上での反応によって堆積するための方法および装置を提供する。堆積された酸化ケイ素基体の膜は、気泡構造を有するナノ多孔性酸化ケイ素基体の膜内に残留する分散された顕微鏡的なボイドを形成するようアニールされる。ナノ多孔性酸化ケイ素基体の膜は、ライナー層またはキャップ層の有または無での金属配線間の隙間を充填するために有用である。ナノ多孔性酸化ケイ素基体の膜は、デュアルダマシン構造を製造するための金属間誘電体層としても使用され得る。好ましいナノ多孔性酸化ケイ素基体の膜は、1,3,5-トリシラノシクロヘキサン、ビス(ホルミルオキシシラノ)メタン、またはビス(グリオキシリルシラノ)メタンと過酸化水素との反応と、それに引続く温度の漸次の増大を含むキュア/アニールと、によって生成される。

請求項（抜粋）：

低誘電率の膜を堆積する方法であって、基板の表面上に過酸化物化合物を堆積するステップと、前記堆積された過酸化物化合物を水素化ケイ素含有化合物または混合物と反応させるステップと、酸化ケイ素基体の膜を形成するように前記基板をアニールするステップとを含み、それによって分散されたボイドが前記酸化ケイ素基体の膜内に形成される、方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 X , C23C 16/40 , H01L 21/90 M , H01L 21/90 A

Fターム (56件)：

4K030AA06 , 4K030AA14 , 4K030AA16 , 4K030BA29 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030DA09 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ19 , 5F033JJ32 , 5F033KK00 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR29 , 5F033SS01 , 5F033SS03 , 5F033SS15 , 5F033WW03 , 5F033XX24 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BF07 , 5F058BF08 , 5F058BF09 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BG02 , 5F058BG03 , 5F058BG04 , 5F058BH01 , 5F058BH10 , 5F058BJ02 , 5F058BJ05

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法および半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-240374 出願人：松下電器産業株式会社
化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-320973 出願人：日本電気株式会社
CVDシステムの真空ラインのクリーニング方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-274008 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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