特許
J-GLOBAL ID:200903046090773670
半導体素子の製造装備、これを利用した半導体素子のパタ-ン形成方法及びこれを適用した半導体素子製造用フォトレジスト
発明者:
,
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
服部 雅紀
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-170904
公開番号(公開出願番号):特開2000-031001
出願日: 1999年06月17日
公開日(公表日): 2000年01月28日
要約:
【要約】【課題】 好ましい大きさのパターンを形成する半導体素子の製造装備、これを利用した半導体素子のパターン形成方法及び半導体素子製造用フォトレジストを提供する。【解決手段】 製造装備30はウェーハ上に特定のフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布部36、フォトレジストが塗布された後、露光されたウェーハ上にフォトレジストパターンを形成させる現像部44、及びフォトレジストパターンのフロー工程時、安定されたフローを提供するためにフォトレジストパターンを架橋反応させるための架橋反応部を備えてなる。また、ウェーハ上にフォトレジストを塗布する段階、フォトレジスト上にフォトマスクを整列させて露光する段階、ウェーハ上にフォトレジストパターンを形成させる段階、フォトレジストパターンを架橋反応させる段階、及び架橋反応後、フォトレジストパターンをフローベークさせる段階を含む。
請求項(抜粋):
ウェーハ上に特定のフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布部と、前記フォトレジストが塗布された後、露光された前記ウェーハ上にフォトレジストパターンを形成させる現像部と、前記フォトレジストパターンのフロー工程時安定されたフローを提供するために前記フォトレジストパターンを架橋反応させるための架橋反応部と、を備えることを特徴とする半導体素子の製造装備。
引用特許:
出願人引用 (10件)
-
感光性樹脂組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-282106
出願人:ダブリュー・アール・グレース・アンド・カンパニー-コーン
-
感放射線性樹脂組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-217744
出願人:株式会社東芝
-
特開昭53-014568
-
特開昭62-215265
-
処理方法及び処理装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-094752
出願人:東京エレクトロン株式会社
-
レジストパターンの形成方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-226025
出願人:三星電子株式会社
-
特開平4-364021
-
特開昭61-055923
-
特開昭60-110124
-
特開昭60-041227
全件表示
審査官引用 (2件)
-
感光性樹脂組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-282106
出願人:ダブリュー・アール・グレース・アンド・カンパニー-コーン
-
感放射線性樹脂組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-217744
出願人:株式会社東芝
前のページに戻る