特許
J-GLOBAL ID：200903046155371140

金属酸化物誘電体膜の気相成長方法

発明者：
辰巳 徹

辰巳 徹 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-241222
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057156
出願日： 2000年08月09日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、リーク電流の少ないPZT膜の気相成長方法を提供することを目的とする。【解決手段】 下地金属上への有機金属材料ガスと酸化ガスを用いたABO3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する金属酸化物誘電体膜の熱CVDによる気相成長方法であって、金属酸化物誘電体膜の成膜に先立ち、Pb有機金属原料ガスを単独または酸化ガスと共に供給しする第1の工程と、その後、金属酸化物誘電体膜の原料となる有機金属材料ガスを供給して金属酸化物誘電体膜を成膜する第2の工程とを有する金属酸化物誘電体膜の気相成長方法。
請求項（抜粋）：
下地金属上への有機金属材料ガスと酸化ガスを用いたABO3で表されるペロブスカイト型結晶構造を有する金属酸化物誘電体膜の熱CVDによる気相成長方法であって、金属酸化物誘電体膜の成膜に先立ち、Pb有機金属原料ガスを単独または酸化ガスと共に供給する第1の工程と、その後、金属酸化物誘電体膜の原料となる有機金属材料ガスを供給して金属酸化物誘電体膜を成膜する第2の工程とを有する金属酸化物誘電体膜の気相成長方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (5件)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 621 Z
Fターム (29件)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030BA42 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  5F058BA11 ,  5F058BB05 ,  5F058BC03 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083GA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA31 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (4件)
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