特許
J-GLOBAL ID：200903074738529234
強誘電体キャパシタの製造方法及び強誘電体メモリ装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 聖孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-351916
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173140
出願日： 1996年12月11日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 Pt以外のIr等の電極物質を電極に用いるPZTキャパシタをスパッタリング法によつて製造する際、良好な核形成によって良質な強誘電体薄膜を形成できる方法を提供すること。【解決手段】 Ir電極6上にチタン薄膜31を堆積させた後、チタン酸鉛の結晶化温度以上の基板温度において鉛酸化物32をスパッタリング法によって堆積させ、更に、前記基板温度以上の基板温度においてチタン酸ジルコン酸鉛34をスパッタリング法によって堆積させ、この堆積膜を熱処理してPZT薄膜17を形成するPZT強誘電体キャパシタCAPの製造方法。
請求項（抜粋）：
第1の電極と、この第1の電極上の強誘電体膜と、この強誘電体膜上の第2の電極とによって構成された強誘電体キャパシタを製造するに際し、前記強誘電体膜の構成金属元素の少なくとも1種の金属元素又はその酸化物を前記第1の電極上に堆積させて、金属又は金属酸化物薄膜を形成する工程と、前記強誘電体膜の構成金属元素の少なくとも1種の金属元素であって前記金属又は金属酸化物薄膜とは異なる金属元素の酸化物を前記金属又は金属酸化物薄膜上に堆積させる工程と、この堆積させた金属酸化物と前記金属又は金属酸化物薄膜の金属元素とからなる酸化物膜を前記第1の電極上に生成させる工程と、この生成させた酸化物膜上に前記強誘電体膜の構成材料を堆積させて前記強誘電体膜を形成する工程と、この強誘電体膜上に前記第2の電極を形成する工程とを有する、強誘電体キャパシタの製造方法。
IPC (8件)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 451
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
, H01L 29/78 371
