非晶質窒化炭素膜及びその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-005299
公開番号（公開出願番号）：特開2004-217977
出願日： 2003年01月14日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】非晶質窒化炭素膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】(1)真空槽で基材をメタンガスプラズマ中に浸し、プラズマ中の正イオンを基材に照射し、表層にイオン注入層を形成する、(2)炭化水素と窒素の混合ガスを真空槽に導入し、プラズマを生成させ、それらのラジカルを堆積させるとともに、基材に負電圧を印加し、正イオンを加速して基材に照射する、(3)その際に、高電圧正パルス(0.5〜15kV)を基材に印加し、プラズマ中の電子を基材に照射することにより、表層のみをパルス的に活性化、及び高温状態にする、(4)上記により、基材に炭化水素及び窒素のラジカル及びイオンを堆積させ、高導電性の非晶質窒化炭素膜を形成した高導電性非晶質窒化炭素膜-基材複合体を製造する、ことからなる上記複合体の製造方法、及びその製品。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

導電性基材に、電気導電性、耐食性及び密着性に優れた非晶質窒化炭素膜を形成する方法であって、 (1)真空槽で基材をメタンガスプラズマ中に浸し、プラズマ中の正イオンを基材に照射し、表層にイオン注入層を形成する、 (2)炭化水素と窒素の混合ガスを真空槽に導入し、プラズマを生成させ、これらのラジカルを基材表面に堆積させるとともに、基材に、負電圧を印加し、正イオンを加速して基材に照射する、 (3)その際に、高電圧正パルスを基材に印加し、プラズマ中の電子を高エネルギーで基材に照射することによって、表層のみをパルス的に活性化、及び高温状態にする、 (4)上記(1)〜(3)により、基材に炭化水素及び窒素のラジカル及びイオンを堆積させ、高導電性の非晶質窒化炭素膜を形成する、ことを特徴とする非晶質窒化炭素膜の形成方法。

IPC (5件)：

C23C14/06 , C23C16/34 , C23C16/44 , C23C16/505 , H01M8/02

FI (6件)：

C23C14/06 B , C23C16/34 , C23C16/44 A , C23C16/505 , H01M8/02 B , H01M8/02 Y

Fターム (30件)：

4K029BA58 , 4K029BA62 , 4K029BC01 , 4K029BC03 , 4K029BD00 , 4K029CA13 , 4K029DD03 , 4K029DE00 , 4K029EA06 , 4K029EA08 , 4K029GA00 , 4K029GA01 , 4K030BA38 , 4K030BB05 , 4K030DA09 , 4K030FA03 , 4K030FA10 , 4K030FA12 , 4K030FA14 , 4K030KA20 , 4K030KA24 , 4K030KA30 , 4K030KA32 , 4K030LA01 , 4K030LA11 , 5H026AA02 , 5H026BB01 , 5H026BB04 , 5H026CX04 , 5H026EE11

引用特許：

審査官引用 (6件)

窒化炭素膜の薄膜製造装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-157256 出願人：三菱重工業株式会社
特開平3-240959
回転式スイッチ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-126442 出願人：帝国通信工業株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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