特許

J-GLOBAL ID：200903046227305245

フォトレジスト用樹脂とその製造方法、及びフォトレジスト組成物

発明者： 新井 隆
出願人/特許権者： ダイセル化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-340585
公開番号（公開出願番号）：特開2002-145934
出願日： 2000年11月08日
公開日（公表日）： 2002年05月22日
要約：

【要約】【課題】 均質性に優れ、解像度の高い微細パターンを得ることのできるフォトレジスト用樹脂を得る。【解決手段】 本発明のフォトレジスト用高分子化合物は、酸によりエステルの保護基が脱離しアルカリ可溶となる機能を持つモノマーだけで共重合し製造する。酸によりエステルの保護基が脱離しアルカリ可溶となる機能を持つモノマーに不純物として含まれるホモポリマーは半導体製造工程でのアルカリ液での現像により除かれるため高品位のパターンが得られる。一方、酸によりエステルの保護基が脱離しアルカリ可溶になる機能を持たないモノマーを使用した場合、そのモノマーに含まれるホモポリマーはアルカリ現像液でのスカム(不溶解物)発生により十分な解像度が得られない。

請求項（抜粋）：

酸によりエステルの保護基が脱離し、アルカリ可溶となる機能をもったモノマーだけを重合して得られた高分子化合物。

IPC (5件)：

C08F 20/18 ,  C08F 20/28 ,  C08F220/18 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

C08F 20/18 ,  C08F 20/28 ,  C08F220/18 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (28件)：

2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL04R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BC03P ,  4J100BC08P ,  4J100BC08Q ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC12P ,  4J100BC12Q ,  4J100BC48P ,  4J100BC48Q ,  4J100BC53Q ,  4J100BC73R ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (4件)

• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-162398   出願人：富士通株式会社
• (メタ)アクリル酸エステル共重合体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-220817   出願人：日本ゼオン株式会社
• ポジ型感光性組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-367619   出願人：富士写真フイルム株式会社
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-050264   出願人：富士通株式会社