特許
J-GLOBAL ID：200903046339379942

曲がった二次元アレイ・トランスデューサ

発明者：
クンケル,ハル

クンケル,ハル について


出願人/特許権者：
コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ

コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ について


代理人 (3件)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-524638
公開番号（公開出願番号）：特表2009-504057
出願日： 2006年07月24日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：
曲がった二次元アレイ・トランスデューサが、裏打ちウイング(16)に取り付けられたASIC(26)の層の上に載る圧電物質の層(20)を含んでいる。圧電物質(20)は直交するアジマス方向とエレベーション方向にダイシングされて、トランスデューサ要素の二次元アレイが形成される。エレベーション方向のダイシングの切り込みはASIC層(26)の下まで届き、圧電層(20)およびASIC層(26)はアジマス方向において曲げることができる。裏打ちウイング(16)は、ASIC(26)および圧電要素(20)を支持しつつ、柔軟な基板を提供する。第二の例では、圧電層(20)とASIC層(26)はフレックス回路の両面に取り付けられる。フレックス回路は、圧電層(20)とASIC層(26)のダイシング後、柔軟な基板を提供する。
請求項（抜粋）：
裏打ち物質の層と; 前記裏打ち物質の上に載る集積回路の層と; 前記集積回路の層の上に載り、これに電気的に結合された圧電物質の層とを有しており; 前記圧電物質の層が直交する第一および第二の方向にダイシングされ、前記集積回路の層が前記第二の方向にダイシングされている、曲がった二次元アレイ・トランスデューサ。
IPC (2件)：
H04R 17/00 ,  A61B 8/00
FI (2件)：
H04R17/00 332A ,  A61B8/00
Fターム (10件)：
4C601BB03 ,  4C601BB06 ,  4C601EE30 ,  4C601GB09 ,  4C601GB19 ,  4C601GB20 ,  4C601GB30 ,  4C601GB41 ,  5D019BB19 ,  5D019FF04
引用特許：
審査官引用 (8件)
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