特許
J-GLOBAL ID：200903046340005932

半導体素子の製造方法

発明者：
長町 信治

長町 信治 について


出願人/特許権者：
株式会社イオン工学研究所

株式会社イオン工学研究所 について


代理人 (2件)： 西村 竜平 ,  佐藤 明子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-047126
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227655
出願日： 2006年02月23日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】簡便な加熱装置で高信頼性及び高品質を有するSiCを材料とする半導体素子を製造する方法を提供する。【解決手段】SiCからなる基板を400°C以下に加熱して、当該基板にイオン注入を行う工程を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
SiCからなる基板を400°C以下に加熱して、当該基板にイオン注入を行う工程を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 21/265
FI (2件)：
H01L21/265 Z ,  H01L21/265 602A
引用特許：
審査官引用 (4件)
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