特許

J-GLOBAL ID：200903046412697486

半導体装置

発明者： 赤崎 勇 ,  天野 浩 ,  上山 智 ,  安田 隆則
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-146965
公開番号（公開出願番号）：特開2004-349588
出願日： 2003年05月23日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：

【課題】半導体層の作製にエッチング工程が必要となり、これにより、半導体層に損傷を与えること。【解決手段】六方晶構造を有しかつ導電性を有する単結晶基板10の一主面上に、発光部を含みAlxGa1-xN(ただし、0≦x<1)であらわされる窒化物半導体層を形成してなるとともに、この窒化物半導体層上に一方電極17を形成してなり、かつ単結晶基板10の他主面上に他方電極18を形成してなる半導体装置とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

六方晶構造を有しかつ導電性を有する単結晶基板の一主面上に、発光部を含みAlxGa1-xN(ただし、0≦x<1)であらわされる窒化物半導体層を形成してなるとともに、前記窒化物半導体層上に一方電極を形成し、かつ前記単結晶基板の他主面上に他方電極を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L33/00 ,  H01S5/343

FI (3件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 C ,  H01S5/343 610

Fターム (22件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA22 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F073AA45 ,  5F073CA03 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA25 ,  5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体層形成用基板とそれを利用した半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-228903   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構, 京セラ株式会社, 大谷茂樹, 須田淳
• ホウ化物結晶とこれを用いた半導体層形成用基板並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-155580   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構, 京セラ株式会社
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-363655   出願人：三洋電機株式会社