特許
J-GLOBAL ID：200903046417619890
マグネトロンスパッタリング装置及びスパッタリング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-291097
公開番号（公開出願番号）：特開2001-107233
出願日： 1999年10月13日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】 真空チャンバー内にターゲット13と基板14とを対向して配設すると共に、上記ターゲット下にリング状磁石15aとその中空部内に配置された磁石15bとからなるマグネトロン用磁石対15を配設して、上記磁石対の磁界に作用されたプラズマ16によりターゲットからたたき出されたターゲット原子を上記基板上に堆積させてスパッタ膜を形成させるマグネトロンスパッタリング装置において、上記基板14を回転可能に配設すると共に、上記ターゲット下に少なくとも3対のマグネトロン用磁石対を上下方向及び/又は左右方向移動可能に配設して、スパッタリング強度を基板表面全面において均一化可能にしたことを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。【効果】 本発明によれば、成膜レートが高く、膜質均一性がよく、均一厚さのスパッタ膜を得ることができる。
請求項（抜粋）：
真空チャンバー内にターゲットと基板とを対向して配設すると共に、上記ターゲット下にリング状磁石とその中空部内に配置された磁石とからなるマグネトロン用磁石対を配設して、上記磁石対の磁界に作用されたプラズマによりターゲットからたたき出されたターゲット原子を上記基板上に堆積させてスパッタ膜を形成させるマグネトロンスパッタリング装置において、上記基板を回転可能に配設すると共に、上記ターゲット下に少なくとも3対のマグネトロン用磁石対を上下方向及び/又は左右方向移動可能に配設して、スパッタリング強度を基板表面全面において均一化可能にしたことを特徴とするマグネトロンスパッタリング装置。
IPC (4件)：
C23C 14/35
, H01L 21/203
, H01L 21/285
, H01L 21/31
C23C 14/35 B
, H01L 21/203 S
, H01L 21/285 S
, H01L 21/31 D
4K029DA12
, 4K029DC43
, 4K029DC46
, 4M104DD39
, 4M104HH20
, 5F045AA19
, 5F045BB02
, 5F045DP28
, 5F045EH16
, 5F045EH19
, 5F103AA08
, 5F103BB14
, 5F103BB16
, 5F103BB38
, 5F103RR10
