金属錯体薄膜およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：鎌田耕一 , 黒田茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-193754
公開番号（公開出願番号）：特開2009-028965
出願日： 2007年07月25日
公開日（公表日）： 2009年02月12日
要約：

【課題】シュウ酸やシュウ酸類似の構造を有する化合物を用いた金属錯体の薄膜、および、ルベアン酸やルベアン酸類似の構造を有する化合物を用いた金属錯体の薄膜、およびそれらの製造方法を提供する。【解決手段】金属錯体薄膜を製造するための方法は、基板上の金属元素、または有機分子鎖を介して基板に結合した金属元素に、以下の式(1)の化合物を配位結合させてキレート環を形成する工程を含む。[ここで、nは0〜6の整数を示す。nが1から6である場合、芳香環には、式(1)に示す置換基以外の置換基が結合していてもよい。]【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(i)基板表面の金属元素、または有機分子鎖を介して基板に結合した金属元素に、以下の式(1)の化合物を配位結合させてキレート環を形成する工程を含む、金属錯体薄膜の製造方法。

IPC (2件)：

B32B 15/04 , C03C 17/34

FI (2件)：

B32B15/04 Z , C03C17/34 A

Fターム (20件)：

4F100AB01B , 4F100AB02B , 4F100AB25 , 4F100AG00 , 4F100AK02C , 4F100AT00A , 4F100BA03 , 4F100BA07 , 4F100BA10A , 4F100BA10C , 4G059AA08 , 4G059AC30 , 4G059FA01 , 4G059FA30 , 4G059FB03 , 4G059GA01 , 4G059GA02 , 4G059GA04 , 4G059GA11 , 5H018AA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

カルボキシル基含有配位高分子を用いたイオン伝導材料
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-252884 出願人：国立大学法人京都大学

審査官引用 (13件)

特開平3-246272
帯電防止膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-230870 出願人：松下電器産業株式会社
非水電解液電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-308599 出願人：古河電池株式会社

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引用文献：

審査官引用 (3件)

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