特許

J-GLOBAL ID：200903046533651041

低欠陥密度炭化ケイ素を成長させる方法及び装置、並びに得られる物質

発明者： ホダコフ,ユーリ アレキサンドロビッチ ,  ラム,マーク ジー. ,  モクホフ,エフゲニ ニコラエビチ ,  ロエンコフ,アレクサンドル ドミトリエビチ ,  マカロフ,ユ ,  ユレビチ,カルポフ セルゲイ ,  ラム,マルク スピリドノビチ ,  ヘラバ,ヘイッキ
出願人/特許権者： ザ フォックス グループ,インコーポレイティド
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-561823
公開番号（公開出願番号）：特表2003-523918
出願日： 2001年02月14日
公開日（公表日）： 2003年08月12日
要約：

【要約】低転位密度炭化ケイ素(SiC)、並びにこれを成長させる設備及び方法を提供する。昇華技術を使用するSiC結晶の成長は好ましくは、2つの段階の分けることができる。成長の第2の段階の間には、結晶は通常の方向に成長すると共に、横方向に拡がる。転位及び他の材料欠陥は、軸方向に成長した材料中に伝播することがあるが、横方向に成長した材料中での欠陥の伝播及び発生は、なくらならないまでも実質的に減少する。結晶が所望の直径に拡張した後で、第2の段階を開始し、ここでは横方向の成長を抑制し、通常の成長を促進する。実質的に減少した欠陥密度は、横方向に成長した第1の段階の材料に基づく軸方向に成長した材料中で維持される。

請求項（抜粋）：

マイクロパイプ及び転位で構成されている欠陥の密度が104/cm2未満の単結晶バルク炭化ケイ素基体を含む炭化ケイ素材料。

Fターム (11件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077DA19 ,  4G077EA02 ,  4G077EG25 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• SiC単結晶およびその成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-098148   出願人：新日本製鐵株式会社
• 炭化珪素単結晶の製造方法およびそれに用いる種結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-202164   出願人：新日本製鐵株式会社
• 6H-SiC単結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-174952   出願人：新日本製鐵株式会社
• 単結晶の製造方法及び種結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-103581   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー