特許
J-GLOBAL ID：200903046539707570

レジストパターン形成方法及び半導体基板

発明者：
藤本 匡志

藤本 匡志 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-334816
公開番号（公開出願番号）：特開平11-153871
出願日： 1997年11月20日
公開日（公表日）： 1999年06月08日
要約：
【要約】【課題】 化学増幅系ポジ型レジストパターンのT型形状を完全に解消して、矩形なレジストパターンを得ることができ、これにより解像度、焦点深度、寸法精度等の向上を図る。【解決手段】 酸発生剤を含む化学増幅糸ポジ型レジストのフォトレジスト膜102が形成された半導体基板101に、所望の半導体集積回路パターンを描いたマスクまたはレチクルを通して露光し、PEB(Post exposurebake)処理後、現像液を用いて現像し、フォトレジストパターン105を形成するレジストパターンの形成方法において、フォトレジスト膜102上に、光酸発生剤を含有する水溶性樹脂膜103を形成する。
請求項（抜粋）：
酸発生剤を含む化学増幅系ポジ型レジストフォトレジスト膜上に光酸発生剤を含有する上層水溶性樹脂膜を形成し、その上層水溶性樹脂膜によって、フォトレジスト膜表面で失活した酸を補償し、表面難溶化層の形成を抑制することを特徴とする、レジストパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027
FI (5件)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 565 ,  H01L 21/30 575
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM