特許
J-GLOBAL ID：200903046575961580
半導体ウェーハのリアルタイム・インラインテスト
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山本 秀策
, 安村 高明
, 森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-507489
公開番号（公開出願番号）：特表2006-521701
出願日： 2004年03月23日
公開日（公表日）： 2006年09月21日
要約：
製造工程中における半導体ウェーハのリアルタイム・インラインテストのための装置および方法。1つの実施例において、この装置は、半導体ウェーハ処理ライン中にプローブ組立体を含む。各ウェーハがプローブ組立体近くを通過すると、プローブ組立体内にある所定の変調波長および周波数の変調光源がウェーハ上に照射する。プローブ組立体内のセンサが、変調光により誘起された表面光起電力を測定する。その後、コンピュータがこの誘起された表面光起電力を用いて、ウェーハのさまざまな電気特性を求める。
請求項（抜粋）：
半導体工程中における半導体ウェーハの電気特性決定のための方法であって、前記方法が:
前記ウェーハに対してイオン注入を行うステップと;
前記ウェーハのアニーリングを行うステップと;
半導体工程中に、前記ウェーハの表面がヘッド組立体の表面光起電力電極に対して実質的に平行になるよう前記ウェーハを搬送するステップと;
前記ウェーハの少なくとも一部を、ある波長をもちある周波数で変調された光に対して露出させるステップと;
前記表面光起電力を用いて、前記光に応じて前記ウェーハの表面で誘起される光起電力を検出するステップと;
前記ウェーハの表面で誘起された前記光起電力から前記ウェーハの電気特性を計算するステップと
を含む方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L21/66 L
, H01L21/66 M
4M106AA01
, 4M106BA05
, 4M106BA12
, 4M106CA17
, 4M106CB11
, 4M106CB30
, 4M106DH12
, 4M106DH19
, 4M106DH32
, 4M106DH55
, 4M106DH56
