特許

J-GLOBAL ID：200903046614930085

膜パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器

発明者： 御子柴 俊明
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-151285
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356320
出願日： 2003年05月28日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】細い線状の膜パターンを、精度よく安定して形成することができる薄膜パターン形成方法を提供する。【解決手段】基板P上に撥液性膜Fを形成する工程と、撥液性膜Fによって区画された領域Aに機能液Lを配置する工程とを有する。撥液性膜Fによって区画された領域Aは、部分的に幅が広く形成されている(幅広部As)。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

機能液を基板上に配置して線状の膜パターンを形成する方法であって、 前記機能液に対して撥液性の撥液性膜を、所定のパターン形状で前記基板上に形成する工程と、 前記撥液性膜によって区画された領域に前記機能液を配置する工程とを有し、前記撥液性膜によって区画された領域は、部分的に幅が広く形成されていることを特徴とする膜パターン形成方法。

IPC (7件)：

H01L21/288 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3205 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14

FI (7件)：

H01L21/288 Z ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A ,  H01L21/30 502D ,  H01L21/88 B

Fターム (36件)：

2H092GA24 ,  2H092GA32 ,  2H092GA40 ,  2H092HA02 ,  2H092HA06 ,  2H092HA15 ,  2H092JA24 ,  2H092JB21 ,  2H092KB06 ,  2H092MA01 ,  2H092NA11 ,  2H092NA25 ,  2H092NA28 ,  3K007AB05 ,  3K007AB08 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  3K007GA00 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104GG20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ73 ,  5F033VV15 ,  5F046AA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜トランジスタアレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-150592   出願人：日本電気株式会社
• 導電膜パターンの形成方法および電気光学装置、電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-197801   出願人：セイコーエプソン株式会社
• TFTアレイ基板、液晶表示装置、TFTアレイ基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法、並びに電子装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-207744   出願人：シャープ株式会社
• パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、電子機器並びにアクティブマトリクス基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-124211   出願人：セイコーエプソン株式会社