半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行 , 荒川伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-339873
公開番号（公開出願番号）：特開2009-164203
出願日： 2007年12月28日
公開日（公表日）： 2009年07月23日
要約：

【課題】ガスの発生がきわめて多量な導電性接着剤を用いて半導体素子の接続を行う場合においても、半導体素子の裏面に溝加工などの加工を不要とし、接続層内部にガスがトラップされることにより形成される接続欠陥としてのボイドの発生を抑制することである。【解決手段】半導体素子1と基材2との接続面に沿った方向に加速度を、基材2、接続層7および半導体素子1に対して加えながら接続を行なうという工程を導入することにより、接続の過程でガスを効率よく接続層の外部に放散することができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

主表面を有する基材を準備する工程と、前記基材の前記主表面上に流動性を有する接続層を介して半導体素子を接続する工程とを備え、前記半導体素子を接続する工程において、前記半導体素子と基材との接続面に沿った方向に加速度を前記基材、接続層および半導体素子に対して加えながら接続を行なうことを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/52

FI (2件)：

H01L21/52 C , H01L21/52 E

Fターム (8件)：

5F047AA11 , 5F047AA14 , 5F047AA17 , 5F047BA12 , 5F047BA14 , 5F047BA15 , 5F047BB11 , 5F047BB16

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体集積回路ペレット
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-101632 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (4件)

特開昭61-251045
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-238230 出願人：株式会社東芝
フリップチップパッケージにおける樹脂の注入方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-322345 出願人：トーワ株式会社

全件表示

前のページに戻る