特許
J-GLOBAL ID：200903046738394904

磁性薄膜メモリ素子及びそれを用いた情報記録方法、情報再生方法

発明者：
西村 直樹

西村 直樹 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-157806
公開番号（公開出願番号）：特開平11-353867
出願日： 1998年06月05日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 ビットセルの面積を小さくするほど反磁界が無視できなくなり、磁性層の磁化方向が一定方向に定まらず不安定になる。【解決手段】 第1,第2の磁性層1,2の膜面に対し垂直方向に電流を供給し、発生する磁界によって情報を記録する電流路の長tを0.05μm以上、0.2μm以下とする。
請求項（抜粋）：
閉磁路構造の第1の磁性層と、前記第1の磁性層よりも高い保磁力を有する閉磁路構造の第2の磁性層とを非磁性層を介して積層して成り、前記第1,第2の磁性層は左回りもしくは右回りに容易軸を有し、前記第1,第2の磁性層の磁化方向の相対角度によって、異なる抵抗値を有する磁性薄膜メモリ素子であって、前記第1,第2の磁性層の膜面に対し垂直方向に電流を供給し、発生する磁界によって情報を記録する電流路の長さを0.05μm以上、2μm以下とすることを特徴とする磁性薄膜メモリ素子。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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