特許
J-GLOBAL ID：200903046761450919

半導体装置

発明者：
高木 一考

高木 一考 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 天城国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-381896
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190711
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】放熱性を向上させた半導体装置を提供すること。【解決手段】金属製ベース基板10と、このベース基板10上に搭載した発熱半導体素子11と、ベース基板10の材料よりも熱伝導率の大きい絶縁材料で形成され、発熱半導体素子11近傍のベース基板10上に配置した第1誘電体基板12および第2誘電体基板13とを具備している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
金属製ベース基板と、このベース基板上に搭載した発熱半導体素子と、前記ベース基板の材料よりも熱伝導率の大きい絶縁材料で形成され、前記発熱半導体素子近傍の前記ベース基板上に配置した絶縁部材とを具備したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/02
FI (2件)：
H01L23/12 J ,  H01L23/02 H
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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