断熱充電論理によるメモリ回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長尾常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-123711
公開番号（公開出願番号）：特開2003-317491
出願日： 2002年04月25日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】メモリ回路の消費電力を低減する。【解決手段】ビット線の高インピーダンスと低インピーダンスにより論理の「1」と「0」の区別を表すメモリ回路において、「1」のメモリセルと「0」のメモリセルを対とし、該対のメモリセルの各ビット線を差動型センス回路に接続し、該差動型センス回路の電源電圧に緩やかに上昇・下降する波形のパワークロックを用い、前記各ビット線に現れた高電位電圧と低電位電圧を取り出すようにした。

請求項（抜粋）：

ビット線の高インピーダンスと低インピーダンスにより論理の「1」と「0」の区別を表すメモリ回路において、「1」のメモリセルと「0」のメモリセルを対とし、該対のメモリセルの各ビット線を差動型センス回路に接続し、該差動型センス回路の電源電圧に緩やかに上昇・下降する波形のパワークロックを用い、前記各ビット線に現れた高電位電圧と低電位電圧を取り出すようにしたことを特徴とするメモリ回路。

IPC (4件)：

G11C 16/06 , G11C 16/04 , G11C 17/12 , G11C 17/18

FI (5件)：

G11C 17/00 634 C , G11C 17/00 623 Z , G11C 17/00 632 Z , G11C 17/00 304 A , G11C 17/00 306 B

Fターム (9件)：

5B003AA05 , 5B003AB06 , 5B003AC08 , 5B003AD05 , 5B003AD09 , 5B025AA01 , 5B025AC04 , 5B025AD05 , 5B025AE06

引用特許：

審査官引用 (5件)

センスアンプ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-032763 出願人：沖電気工業株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-202886 出願人：ヤマハ株式会社
断熱スイッチング・ビット・ラインを有するメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-008030 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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