特許
J-GLOBAL ID：200903046787000865

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者：
後藤 俊夫

後藤 俊夫 について

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堀 勝

堀 勝 について

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石井 信雄

石井 信雄 について


出願人/特許権者：
後藤 俊夫

後藤 俊夫 について

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堀 勝

堀 勝 について

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東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-301366
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072345
出願日： 2003年08月26日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】製造コストの上昇やダメージの発生などを抑制した状態で、より高い密度のプラズマが得られるようにする。【解決手段】密閉可能な処理室101の内部に、処理対象の基板Wが載置される下部電極102,下部電極102に対向配置される上部電極103を備えている。下部電極102,上部電極103は、各々処理室101の内部で絶縁分離された状態で固定されている。上部電極103と下部電極102との間には、高周波電源106より高周波電力が供給可能とされている。加えて、アノードとなる上部電極103の下部電極102との対向面に、例えば複数のカーボンナノチューブから構成された電界放出型の電子供給源110を備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理容器内でプラズマを発生させて発生させたプラズマの作用により所定の処理を行うプラズマ処理装置において、 前記処理容器内に配置された電界放出型の電子供給源 を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H05H1/46
FI (3件)：
H01L21/302 101B ,  H01L21/205 ,  H05H1/46 M
Fターム (10件)：
5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BB32 ,  5F004BD04 ,  5F045AA08 ,  5F045BB16 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH08
引用特許：
出願人引用 (4件)
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