特許
J-GLOBAL ID：200903046958224520

赤外発光素子用エピタキシャルウェハおよびこれを用いた発光素子

発明者：
山本 淳一

山本 淳一 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 柿沼 伸司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-209162
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026380
出願日： 2000年07月11日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】高発光出力のGaAlAs赤外LEDを作製するための、ダブルヘテロ構造のエピタキシャルウェハを提供する。【解決手段】n型GaAs基板上に、第1のn型GaAlAs層、第2のn型GaAlAs層、n型GaAlAsクラッド層、発光波長が850〜900nmの範囲内であるp型GaAlAs活性層、p型GaAlAsクラッド層を液相エピタキシャル成長法により順次積層した後に、前記n型GaAs基板を除去し、p型GaAlAsクラッド層の層厚を5〜30μm、p型GaAlAsクラッド層中の酸素濃度を3×1016原子/cm3以下、p型GaAlAsクラッド層のキャリア濃度を1×1017〜1×1018/cm3の範囲内、p型GaAlAs活性層の層厚を0.05〜0.4μmの範囲内とする。
請求項（抜粋）：
n型GaAs基板上に第1のn型Ga<SB>1-X1</SB>Al<SB>X1</SB>As層(0<X1<1)、第2のn型Ga<SB>1-X2</SB>Al<SB>X2</SB>As層(0<X2<1)、n型Ga<SB>1-X3</SB>Al<SB></SB><SB>X3</SB>Asクラッド層(0<X3<1)、発光波長が850〜900nmの範囲内であるp型Ga<SB>1-X4</SB>Al<SB>X4</SB>As活性層(0<X4<1)、及びp型Ga<SB>1-X5</SB>Al<SB>X5</SB>Asクラッド層(0<X5<1)を液相エピタキシャル成長法により順次積層した後に、前記n型GaAs基板を除去して形成した前記5層を含む赤外発光素子用エピタキシャルウェハであって、前記p型Ga<SB>1-X5</SB>Al<SB>X5</SB>Asクラッド層の層厚が5〜30μmの範囲内であり、p型Ga<SB>1-X5</SB>Al<SB>X5</SB>Asクラッド層中の酸素濃度が3×10<SP>16</SP>原子/cm<SP>3</SP>以下であることを特徴とする赤外発光素子用エピタキシャルウェハ。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/208
FI (2件)：
H01L 33/00 A ,  H01L 21/208 S
Fターム (14件)：
5F041AA04 ,  5F041CA36 ,  5F041CA58 ,  5F041CA63 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041FF14 ,  5F053AA01 ,  5F053BB04 ,  5F053DD05 ,  5F053HH04 ,  5F053LL02 ,  5F053PP02 ,  5F053RR11
引用特許：
審査官引用 (18件)
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