半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-011449
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216348
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】残さが残ってもキャパシタとして使用される電極間の電気的ショートを防止する事が出来る半導体装置及びその製造方法を提供する事を目的とする。【解決手段】本願発明にかかる半導体装置は、第一の電極と、前記第一の電極の上に形成され、金属酸化物からなるたキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜の上に形成された第二の電極とを備え、前記第二の電極の上には第一の絶縁膜が形成されており、かつ、前記キャパシタ絶縁膜の上面の面積は前記第二の電極の下面の面積よりも大きく、かつ、前記第一の絶縁膜、及び、前記キャパシタ絶縁膜を覆う様に形成された第二の絶縁膜を有する。

請求項（抜粋）：

ソース若しくはドレインとして使用する拡散層を有するトランジスタと、前記トランジスタの一方の拡散層と電気的に接続された第一の電極と、前記第一の電極の上に形成され、金属酸化物からなるたキャパシタ絶縁膜と、前記キャパシタ絶縁膜の上に形成された第二の電極と、を備え、前記第二の電極の上には第一の絶縁膜が形成されており、かつ、前記キャパシタ絶縁膜の上面の面積は前記第二の電極の下面の面積よりも大きく、かつ、前記第一の絶縁膜、及び、前記キャパシタ絶縁膜を覆う様に形成された第二の絶縁膜を有する事を特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/10 621 Z , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

Fターム (15件)：

5F001AA17 , 5F001AD12 , 5F001AD33 , 5F001AD94 , 5F001AD96 , 5F083AD22 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA18

引用特許：

審査官引用 (7件)

強/高誘電体集積回路とその製作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-199502 出願人：三菱マテリアル株式会社, シンメトリックス・コーポレイション
半導体メモリ装置及び半導体メモリ装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-023473 出願人：株式会社日立製作所
半導体集積回路装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-250749 出願人：株式会社日立製作所

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