ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-286402
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320266
出願日： 1996年10月29日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】無駄な電流の消費を抑制するとともに信頼性を向上させることである。【解決手段】ワードドライバ63が必要とする第2のレベルの昇圧電位Vpp2を、チャージポンプ回路59が発生する。BLIドライバ61が必要とする第1のレベルの昇圧電位Vpp1をチャージポンプ回路57は発生する。このため、BLIドライバ61に対して、必要以上に大きなレベルの昇圧電位を発生する必要がない。したがって、無駄な電流の消費を抑制できるともとに、回路の破壊を防止でき信頼性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

複数の内部回路と、前記複数の内部回路に対応して設けられ、各々が、対応する前記内部回路に昇圧電位を供給する複数の昇圧電位供給線と、前記複数の内部回路に対応して設けられ、各々が、対応する前記昇圧電位供給線に与える昇圧電位を発生する複数の昇圧電位発生手段とを備え、前記昇圧電位発生手段は、対応する前記昇圧電位供給線の電位レベルが、対応する前記内部回路に対応のレベルになるように、前記昇圧電位を発生する、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ。

引用特許：

審査官引用 (11件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-231845 出願人：三菱電機株式会社
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-095268 出願人：三菱電機株式会社
半導体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-212548 出願人：日本電気株式会社

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