特許
J-GLOBAL ID：200903074001368361

半導体記憶装置

発明者：
米谷 治

米谷 治 について

, 
宮本 博司

宮本 博司 について

, 
古谷 清広

古谷 清広 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-095268
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302495
出願日： 1994年05月09日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】【目的】 ビット線対を十分にイコライズできる半導体記憶装置を提供する。【構成】 外部電源電圧Vccに基づいて外部電源電圧Vcc以上に昇圧された内部昇圧電位Vppを発生する内部昇圧電位発生回路59を備え、イコライズ信号発生手段が、内部昇圧電位Vppを電源とし、イコライズ手段を制御する外部電源電圧Vcc以上に昇圧されたイコライズ信号を発生することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルがアレイ状に並べられたメモリセルアレイと、前記各メモリセルに接続され、行方向のメモリセルを選択する為の複数のワード線と、前記各メモリセルに接続され、列方向のメモリセルを選択する為の複数のビット線対と、該ビット線対間の電位差を増幅する増幅手段と、前記ビット線対間の電位を等しくする為の複数のビット線イコライズ手段とを備えた半導体記憶装置において、所定の第1の固定電位を電源として、第1の固定電位以上の第2の固定電位を発生する第2固定電位発生手段と、第2の固定電位を電源とし、前記ビット線イコライズ手段をオン制御する、第1の固定電位以上に昇圧されたイコライズ信号を発生するビット線イコライズ信号発生手段とを備えることを特徴とする半導体記憶装置。
引用特許：
審査官引用 (15件)
  • 半導体メモリ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-320143   出願人：三星電子株式会社
  • 特開平3-273594
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-054702   出願人：沖電気工業株式会社
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