特許
J-GLOBAL ID：200903047178906480

ポリシロキサン

発明者：
岩沢 晴生

岩沢 晴生 について

, 
下川 努

下川 努 について


出願人/特許権者：
ジェイエスアール株式会社

ジェイエスアール株式会社 について


代理人 (1件)： 福沢 俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-019834
公開番号（公開出願番号）：特開2002-220471
出願日： 2001年01月29日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：
【要約】【課題】 ドライエッチング耐性に優れ、しかも放射線に対する透明性、感度、解像度、現像性等のレジストとしての基本物性にも優れたレジスト材料の樹脂成分等として有用な新規ポリシロキサンを提供する。【解決手段】 下記一般式(1)に示す構造単位(I)および/または構造単位(II)を有し、ポリスチレン換算重量平均分子量が500〜1,000,000のポリシロキサン。【化1】〔一般式(1)において、各Rは相互に独立して水素原子またはメチル基を示し、R’は水素原子、1価の炭化水素基、1価のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン原子または1〜3級のアミノ基を示し、nは1〜3の整数である。〕
請求項（抜粋）：
下記一般式(1)に示す構造単位(I)および/または構造単位(II)を有し、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)により測定したポリスチレン換算重量平均分子量が500〜1,000,000のポリシロキサン。【化1】〔一般式(1)において、各Rは相互に独立して水素原子またはメチル基を示し、R’は水素原子、炭素数1〜20の1価の炭化水素基、炭素数1〜20の1価のハロゲン化炭化水素基、ハロゲン原子または1級、2級もしくは3級のアミノ基を示し、nは1〜3の整数であり、式中の各ケイ素原子は最上位にあるビシクロ[ 2.2.1 ]ヘプタン環の2-位または3-位に結合している。〕
IPC (3件)：
C08G 77/14 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511
FI (3件)：
C08G 77/14 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511
Fターム (23件)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AA09 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025CB41 ,  2H025CB51 ,  2H025CB55 ,  2H025FA17 ,  4J035BA01 ,  4J035CA101 ,  4J035CA152 ,  4J035CA162 ,  4J035CA172 ,  4J035CA192 ,  4J035CA301 ,  4J035LB16
引用特許：
審査官引用 (6件)
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