特許

J-GLOBAL ID：200903047214876533

半導体装置の製造方法

発明者： 前田 就彦 ,  小林 直樹 ,  藤原 直樹 ,  堀越 佳治
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 高山 道夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-342676
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142404
出願日： 2001年11月08日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：

【要約】【課題】 立方晶GaNをはじめとする、高品質なIII族窒化物半導体結晶を実現できる、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs単結晶を基板とするIII族窒化物半導体単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる、半導体装置の製造方法において、RFプラズマソース分子線エピタキシャル法によって、In、Ga、As、Nの各原料元素を、InおよびGa、As、Nの順に交互に基板面上に供給して、InGaAsN単結晶薄膜を形成する第1過程と、マイグレーションエンハンストエピタキシー法によって、InGaAsN単結晶薄膜の上に、III族元素およびNを交互に供給して、III族窒化物単結晶薄膜を形成する第2過程と、分子線エピタキシャル法によって、III族窒化物単結晶薄膜の上に、III族窒化物半導体結晶を成長させる第3過程とを含む。

請求項（抜粋）：

GaAs単結晶を基板とするIII族窒化物半導体単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる、半導体装置の製造方法において、RFプラズマソース分子線エピタキシャル法によって、In、Ga、As、Nの各原料元素を、InおよびGa、As、Nの順に交互に前記基板面上に供給して、InGaAsN単結晶薄膜を形成する第1過程と、マイグレーションエンハンストエピタキシー法によって、前記InGaAsN単結晶薄膜の上に、III族元素およびNを交互に供給して、III族窒化物単結晶薄膜を形成する第2過程と、分子線エピタキシャル法によって、前記III族窒化物単結晶薄膜の上に、III族窒化物半導体結晶を成長させる第3過程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/203 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C

Fターム (11件)：

5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA66 ,  5F103AA04 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103RR06

引用特許：

審査官引用 (4件)

• III-V族混晶半導体を用いた半導体装置の製造方法及び光通信システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-196178   出願人：株式会社日立製作所, 技術研究組合新情報処理開発機構
• 半導体素子の製造方法、及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-115659   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物単結晶薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-233640   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-072205   出願人：シャープ株式会社