特許
J-GLOBAL ID：200903027734781054
窒化物単結晶薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-233640
公開番号（公開出願番号）：特開平11-079898
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月23日
要約：
【要約】【課題】 高品質な受発光素子や電子デバイスを作製できる(In,Al,Ga)N窒化物単結晶薄膜を低温で形成する。【解決手段】 ガリウム砒素結晶基板上に立方晶のIII-V族窒化物単結晶薄膜を形成する際に、この基板が立方晶のガリウム砒素単結晶の基板であって、この基板には、砒素圧制御CZ法(PCZ法)又は横型ブリッジマン法(HB法)により作られた単結晶の基板を用いる。上記III-V族窒化物のうちIII族元素はIn,Al及びGaからなる群より選ばれた1種又は2種以上の元素であって、上記III-V族窒化物単結晶薄膜は分子線エピタキシャル成長法(MBE法)により形成される。
請求項（抜粋）：
ガリウム砒素結晶基板の(001)面上に立方晶のIII-V族窒化物単結晶薄膜を形成する方法において、前記基板が立方晶のガリウム砒素単結晶の基板であって、この基板が砒素のリザーバーの温度を制御することによって炉内の砒素の蒸気圧を制御しながらガリウム砒素融液から引上げたガリウム砒素単結晶を加工することにより形成され、前記III-V族窒化物のうちIII族元素がIn,Al及びGaからなる群より選ばれた1種又は2種以上の元素であって、前記III-V族窒化物単結晶薄膜が分子線でエピタキシャル成長した単結晶薄膜であることを特徴とする窒化物単結晶薄膜の形成方法。
IPC (5件)：
C30B 29/40 502
, C30B 23/08
, C30B 29/42
, H01L 21/203
, H01L 33/00
C30B 29/40 502 K
, C30B 23/08 M
, C30B 29/42
, H01L 21/203 M
, H01L 33/00 C
