III-V族混晶半導体を用いた半導体装置の製造方法及び光通信システム

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-196178
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024282
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】良好な結晶性を有するGaInNAs等のNを含むIII-V族混晶半導体を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】n-GaAs基板1上に、水素の存在しない環境下で、水素を含まない原料として金属ガリウム、金属インジウム及び金属ヒ素を用い、かつ、ラジオフレケンシー法で励起した窒素を原料として、n-GaAsバッハァ層2、n-Al0.3Ga0.7Asクラッド層3、GaInNAsからなる歪単一量子井戸活性層4を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、水素の存在しない環境下で、水素を含まない原料を用い、かつ、ラジオフレケンシー法で励起した窒素を原料としてGaInNAs層を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01S 5/323 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/183

FI (5件)：

H01S 3/18 673 , H01L 21/203 M , H01L 21/205 , H01L 33/00 C , H01S 3/18 652

Fターム (37件)：

5F041AA44 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA66 , 5F041FF14 , 5F045AA05 , 5F045AA08 , 5F045AB10 , 5F045AB18 , 5F045AB19 , 5F045AD08 , 5F045AD10 , 5F045AE11 , 5F045AF04 , 5F045BB16 , 5F045CA12 , 5F045CA13 , 5F045DA55 , 5F073AA73 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073AB28 , 5F073BA02 , 5F073CA20 , 5F073DA06 , 5F073EA28 , 5F103AA04 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103LL03 , 5F103LL04 , 5F103LL17 , 5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (17件)

半導体の製造方法及び半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-298380 出願人：松下電器産業株式会社
半導体多層膜および面発光型半導体レーザおよび受光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-248930 出願人：株式会社リコー
半導体埋め込み構造とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-123670 出願人：日本電気株式会社

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