特許
J-GLOBAL ID：200903047242293691

薄膜パターニング加工方法

発明者：
近藤 昌樹

近藤 昌樹 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-106419
公開番号（公開出願番号）：特開2004-306127
出願日： 2003年04月10日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】基板上に厚さ数μm以下の薄膜が構成された基板に対してパターニングを行う際、熱ダメージが少なく品質の高い基板を提供することが可能な薄膜パターニング加工方法を提供すること。【解決手段】基板上に形成された厚さ数μmからなる圧電素子膜に対し、前記圧電素子膜側から発振波長が500nm近傍でパルス幅がピコ秒以下のレーザを単位面積当り20GW/cm2以上で照射を行い前記圧電素子膜に微細加工を施すことで解決できる。このとき、回折光学素子を用いてレーザビームを分割し、かつ、同時マルチパターニング加工を行ってもよい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された厚さ数μmからなる圧電素子膜に対し、前記圧電素子膜側から発振波長が500nm近傍でパルス幅がピコ秒以下のレーザを単位面積当り20GW/cm2以上で照射を行い前記圧電素子膜に微細加工を施すこと を特徴とする薄膜パターニング加工方法。
IPC (3件)：
B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  H01L41/22
FI (3件)：
B23K26/00 N ,  B23K26/06 C ,  H01L41/22 Z
Fターム (5件)：
4E068CA02 ,  4E068CA03 ,  4E068CA04 ,  4E068CD03 ,  4E068DA09
引用特許：
審査官引用 (4件)
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