特許
J-GLOBAL ID：200903047245537397
素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-229755
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068193
出願日： 1997年08月26日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 バリの発生が確実に抑えられた素子を提供し、また、バリを発生させることなく正確にリフトオフすることができる素子の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明に係る素子の製造方法は、基板上に、現像液に溶解する有機物よりなる第1のレジスト14を形成し、この第1のレジスト14上に第2のレジスト15を形成する工程と、この第2のレジスト15の所定の領域に露光して、所望の形状を有するレジスト16及び漸次的に異なる幅を有する判別レジスト17を形成する工程と、上記レジストを用いたリフトオフ法により、基板上の所定の領域にパターニングを形成するとともに、上記判別レジスト17を用いたリフトオフ法により、漸次的に異なる幅を有する複数のパターンからなる判別パターン9を形成する工程とを備え、漸次的に異なる幅を有する判別パターン9により、上記レジスト16のパターニング状態を確認するものである。
請求項（抜粋）：
基板上にリフトオフにより所望の形状にパターニングされたパターニング層が形成されてなり、このパターニング層には、上記リフトオフ時に同時に形成され、異なる幅を有する複数種類のパターンからなるリフトオフ状態判別パターンが形成されていることを特徴とする素子。
IPC (3件)：
H01L 43/12
, G11B 5/39
, H01F 10/00
H01L 43/12
, G11B 5/39
, H01F 10/00
