特許

J-GLOBAL ID：200903047278600418

プラズマCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法

発明者： 山田 英明 ,  茶谷原 昭義 ,  杢野 由明 ,  鹿田 真一
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-038223
公開番号（公開出願番号）：特開2009-196832
出願日： 2008年02月20日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：

【課題】80torr程度を超えるような高圧下におけるプラズマCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造においても、基板温度の上昇を抑制して、良質な単結晶ダイヤモンドを速い成長速度で合成することを可能とする。【解決手段】合成室内の圧力を80torr以上とするプラズマCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法において、ヘリウムガスを添加した原料ガスを用いることを特徴とする方法。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

合成室内の圧力を80torr以上とするプラズマCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法 において、ヘリウムガスを添加した原料ガスを用いることを特徴とする方法。

IPC (5件)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

C30B29/04 E ,  C23C16/27 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205

Fターム (45件)：

4G077AA02 ,  4G077BA03 ,  4G077DB07 ,  4G077DB19 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA06 ,  4G077EC09 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA01 ,  4G077TA04 ,  4G077TA07 ,  4G077TB01 ,  4G077TB07 ,  4G077TC01 ,  4G077TC03 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4G077TE01 ,  4K030AA10 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA27 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA04 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AA08 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AC17 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB07

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-308896
  
• ダイヤモンド製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-162256   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• ダイヤモンドの合成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-065868   出願人：住友電気工業株式会社