ダイヤモンド製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-162256
公開番号（公開出願番号）：特開2007-331955
出願日： 2006年06月12日
公開日（公表日）： 2007年12月27日
要約：

【課題】マイクロ波プラズマCVD法によってダイヤモンド基板上にダイヤモンド単結晶を成長させる際に、ダイヤモンドの成長面の形状(モフォロジー)を簡単に制御できる方法を提供する。【解決手段】基板支持体7が、基板載置面7aの周囲に基板囲繞部7bを備えた導電性材料からなる支持体7であって、基板囲繞部7bを含む基板支持体7は一体であるか又は基板囲繞部の天面7dから所定厚み部分が分離可能とされた構造であり、基板囲繞部の天面を含む部材7bの厚さを調整することによって、ダイヤモンド成長面の形状を制御してダイヤモンド成長を行うダイヤモンド製造方法、並びに、基板載置面7aの周囲に基板囲繞部7bを備えた導電性材料からなる基板支持体7であって、基板囲繞部7bを含む基板支持体7は一体であるか又は天面7dから所定厚み部分が分離可能とされた構造であるダイヤモンド製造用基板支持体7。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

マイクロ波プラズマCVD法によって、ダイヤモンド基板上にダイヤモン繞ド結晶を成長させる方法において、 CVD装置内に設置する基板支持体が、基板載置面の周囲に基板囲繞部を備えた導電性材料からなる支持体であって、該基板囲繞部を含む基板支持体は一体であるか又は基板囲繞部の天面から所定厚み部分が分離可能とされた構造であり、該基板囲繞部の天面を含む部材の厚さを調整することによって、ダイヤモンド成長面の形状を制御してダイヤモンド成長を行うことを特徴とするダイヤモンド製造方法。

IPC (4件)：

C30B 29/04 , C23C 16/458 , C23C 16/511 , H01L 21/205

FI (4件)：

C30B29/04 E , C23C16/458 , C23C16/511 , H01L21/205

Fターム (35件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DB01 , 4G077DB19 , 4G077EG03 , 4G077EG04 , 4G077HA02 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA12 , 4G077TB07 , 4G077TF01 , 4G077TF02 , 4K030AA10 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA28 , 4K030BB02 , 4K030CA01 , 4K030CA12 , 4K030FA01 , 4K030GA02 , 5F045AA08 , 5F045AB07 , 5F045AC07 , 5F045AC15 , 5F045AD15 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045BB12 , 5F045DP04 , 5F045DQ05 , 5F045EM02

引用特許：

出願人引用 (3件)

マイクロ波プラズマCVD装置の基板支持体
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-081782 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
ダイヤモンド製造用装置及び方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-542679 出願人：カーネギーインスチチューションオブワシントン, ザユーエイビーリサーチファンデーション
ダイヤモンド装置及び多結晶ダイヤモンド層の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-138479 出願人：株式会社神戸製鋼所

審査官引用 (4件)

ダイヤモンド気相合成用基板ホルダ及びダイヤモンド気相合成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-148426 出願人：株式会社神戸製鋼所
ダイヤモンド製造用装置及び方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-542679 出願人：カーネギーインスチチューションオブワシントン, ザユーエイビーリサーチファンデーション
特開平2-188494

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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