特許
J-GLOBAL ID：200903047303814584

III-V族窒化物系半導体基板及びその製造方法

発明者：
柴田 真佐知

柴田 真佐知 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 高石 橘馬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-356699
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101475
出願日： 2003年10月16日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】 低転位密度であるとともに、キャリア濃度のばらつきが小さい表面層を十分な厚さで有するIII-V族窒化物系半導体の自立基板、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 周囲とキャリア濃度の異なる領域が基板表面とほぼ垂直な方向に複数存在する第一の層と、表面から少なくとも10μmの深さまでの第二の層とからなり、第二の層には前記キャリア濃度の異なる領域が実質的に形成されておらず、もってキャリア濃度分布が実質的に均一である自立したIII-V族窒化物系半導体基板。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
自立したIII-V族窒化物系半導体基板であって、少なくとも基板の最表面ではキャリア濃度分布が実質的に均一であることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体基板。
IPC (1件)：
H01L21/205
FI (1件)：
H01L21/205
Fターム (10件)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA57 ,  5F045DA67
引用特許：
審査官引用 (4件)
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