特許

J-GLOBAL ID：200903047336119504

シリコン単結晶の製造方法

発明者： 最勝寺 俊昭 ,  横山 隆 ,  中島 広貴 ,  久保田 利通 ,  中村 浩三
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-357513
公開番号（公開出願番号）：特開平10-194890
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：

【要約】【課題】 CZ法によるシリコン単結晶の製造において、直胴最後部近傍における酸素異常析出の防止およびgrown-in欠陥分布の均一化を実現する。【解決手段】 直胴最後部近傍の欠陥形成温度帯における冷却速度が直胴前半部の冷却速度とほぼ同等になるように制御する。具体的には、テール形成後ヒータ加熱を維持したまま単結晶を上昇移動させ、直胴部のすべての位置に対して欠陥形成温度帯における冷却速度が15°C/分以下となるように制御する(水準A、B)。また、単結晶の育成中に直胴最後部が欠陥形成温度帯を通過するように、テール長さを長く設定する(水準C)。その他、欠陥形成温度帯に相当する単結晶部位と融液面との距離を短くし、温度勾配を大きくすることにより、単結晶の育成中に直胴最後部の温度が欠陥形成温度帯の最低温度以下となるように制御してもよい(水準D)。

請求項（抜粋）：

CZ法によるシリコン単結晶の製造において、直胴最後部近傍の欠陥形成温度帯における冷却速度が直胴前半部の冷却速度とほぼ同等になるように、直胴最後部近傍の冷却速度を制御することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/06 502 E ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (10件)

• 特開昭63-159287
  
• 特開昭61-201692
  
• シリコン単結晶インゴット及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-232734   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
• 特開昭63-315589
  
• 単結晶製造用冷却制御筒
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-077572   出願人：新日本製鐵株式会社
• チョクラルスキー成長型シリコンの熱履歴を制御する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-214725   出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
• 特開昭63-159287
  
• 特開昭61-201692
  
• 特開昭63-315589
  
• 単結晶の製造装置および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-041565   出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社