特許
J-GLOBAL ID：200903047394126375

半導体レーザ素子およびそれを含む応用システム

発明者：
高橋 幸司

高橋 幸司 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-091214
公開番号（公開出願番号）：特開2006-278416
出願日： 2005年03月28日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：
【課題】 活性層での水平方向の光分布をより均一にすることができ、内部量子効率を向上させることができる半導体レーザ素子とその半導体レーザ素子を含む応用システムとを提供する。【解決手段】 p型クラッド層とn型クラッド層と活性層とを含み、p型クラッド層はp型不純物としてMgを含み、p型クラッド層の平均屈折率npとn型クラッド層の平均屈折率nnとの間にnp<nnなる関係がある半導体レーザ素子である。また、共振器長方向において、第1領域と、第1領域とはp型クラッド層の平均屈折率が異なる第2領域とを含み、第1領域におけるp型クラッド層の平均屈折率は第1領域におけるn型クラッド層の平均屈折率よりも小さく、第2領域は前端面を有し、第2領域におけるp型クラッド層の前端面の平均屈折率は第2領域におけるn型クラッド層の平均屈折率と同一である半導体レーザ素子である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
p型クラッド層と、n型クラッド層と、活性層と、を含み、1次以上の高次の水平横モードでレーザ光を出射する半導体レーザ素子であって、 前記p型クラッド層はp型不純物としてMgを含み、 前記p型クラッド層の平均屈折率npと前記n型クラッド層の平均屈折率nnとの間に、np<nnなる関係があることを特徴とする、半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/20 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01S5/20 610 ,  H01S5/343 610
Fターム (6件)：
5F173AA16 ,  5F173AG20 ,  5F173AG22 ,  5F173AH22 ,  5F173AJ04 ,  5F173AR32
引用特許：
審査官引用 (4件)
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