特許
J-GLOBAL ID：200903024819902374
半導体光デバイス装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
釜田 淳爾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-166010
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345515
出願日： 2000年06月02日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：
【要約】【課題】 光出力の損失が少なく、高出力動作時における信頼性が高い半導体光デバイス装置を提供すること。【解決手段】 基板、該基板上に形成された第1導電型クラッド層、該第1導電型クラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形成された第2導電型第1クラッド層、該第2導電第1クラッド層上に形成された開口部を有する電流ブロック層、該開口部内部及び少なくとも該開口部両脇の電流ブロック層上の一部に形成された第2導電型第2クラッド層からなる半導体光デバイス装置であって、該開口部に面している電流ブロック層側面の起伏が発光波長の1/10以下であることを特徴とする半導体光デバイス装置。
請求項（抜粋）：
基板、該基板上に形成された第1導電型クラッド層、該第1導電型クラッド層上に形成された活性層、該活性層上に形成された第2導電型第1クラッド層、該第2導電第1クラッド層上に形成された開口部を有する電流ブロック層、該開口部内部及び少なくとも該開口部両脇の電流ブロック層上の一部に形成された第2導電型第2クラッド層からなる半導体光デバイス装置であって、該開口部に面している電流ブロック層側面の起伏が発光波長の1/10以下であることを特徴とする半導体光デバイス装置。
Fターム (9件)：
5F073AA74
, 5F073BA01
, 5F073CA12
, 5F073CB02
, 5F073CB05
, 5F073DA05
, 5F073DA31
, 5F073EA20
, 5F073EA28
