特許
J-GLOBAL ID：200903047507282433

光変調器

発明者：
杉山 昌樹

杉山 昌樹 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 横山 淳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-210309
公開番号（公開出願番号）：特開2008-039859
出願日： 2006年08月01日
公開日（公表日）： 2008年02月21日
要約：
【課題】光導波路を伝播する光を変調するための変調信号が印加される信号電極と、変調信号の動作点を制御するためのバイアス電圧が印加されるバイアス電極を備える光変調器において、バイアス電圧の低電圧化を可能とする。【解決手段】電気光学効果を有する基板とバイアス電極との間に設けるバッファ層において、バイアス電極の下の基板に光導波路が存在しない領域においてはバッファ層を設けずバイアス電極を基板の表面上に直接形成する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
電気光学効果を有する基板と、 該基板上に形成され、一対の光導波路を伝播する光が相互に干渉する干渉型光導波路と、 該光導波路を伝播する光に対して該電気光学効果のための電圧が印加される電極と、 該光導波路が形成された該基板の上に、該電極との間に形成されるバッファ層を備える光変調器において、 該電極は、該光導波路を伝播する光を変調するための変調信号が印加される信号電極と、該変調信号の動作点を制御するための電圧が印加されるバイアス電極とを備え、 該バイアス電極は第1の電位が与えられる第1のバイアス電極と、第2の電位が与えられる第2のバイアス電極を備え、該第1のバイアス電極は該光導波路上に形成される導波路上電極片と他の光導波路上の近傍に形成される少なくとも1つの電位設定電極片を有し、該第2のバイアス電極は該他の光導波路の上に形成される導波路上電極片と該光導波路上の近傍に形成される少なくとも1つの電位設定電極片を有し、 前記の電位設定電極片は該バッファ層を介することなしに該基板上に設けられることを特徴とする光変調器。
IPC (1件)：
G02F 1/03
FI (1件)：
G02F1/03 505
Fターム (11件)：
2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079DA03 ,  2H079DA22 ,  2H079EA05 ,  2H079EA08 ,  2H079EB04 ,  2H079EB05 ,  2H079HA12
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 光導波路デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-031483   出願人：富士通株式会社
  • 導波路型光変調器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-226122   出願人：住友大阪セメント株式会社
  • 光変調器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-001876   出願人：住友大阪セメント株式会社
審査官引用 (4件)
  • 光導波路デバイス
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-031483   出願人：富士通株式会社
  • 導波路型光変調器
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-085412   出願人：住友大阪セメント株式会社
  • 光変調素子モジュール
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-286432   出願人：住友大阪セメント株式会社
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