特許
J-GLOBAL ID：200903047532644358
半導体レーザ装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中島 司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-321904
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235610
出願日： 2003年09月12日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】 高い精度で、且つ確実に半導体レーザ素子が半導体基板に実装されることで、高い位置精度をもってレーザ光の出射ができる青色半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子10は、p型層100上に形成されたSiN膜105との間に、Ti層110a、110bおよびAu層111a、111bに加えてヒートシンク層113およびはんだ層114(例えば、層厚4μm程度)を介して載置されている。 この中で、ヒートシンク層113は、Au層111aとTi層110bとの間に介挿されており、20μm程度の厚みを有する。このようにヒートシンク層113の厚みがAu層111a、111b(膜厚0.4μm)よりも厚いのは、これによって基板厚み方向における半導体レーザ素子10の取り付け位置を確保するためのものである。 また、半導体レーザ光の反射部となるミラー部50にはAl層116と誘電体層117があり、青色光に対して高反射率な特性を示す反射膜構造が形成されている。 【選択図】 図9
請求項（抜粋）：
半導体基板に設けられた凹部に半導体レーザ素子が収納され、前記凹部の側壁には前記半導体レーザ素子から半導体基板の表面と略平行な方向に出射されたレーザ光を前記半導体基板の厚み方向に反射する光学反射面が形成され、前記凹部の底面と半導体レーザ素子との間に、前記厚み方向における前記半導体レーザ素子の位置を調整する機能を有し、且つ駆動時の前記半導体レーザ素子の熱を逃がす機能を有するヒートシンク層と、接合層とが介挿されてなる半導体レーザ装置であって、前記ヒートシンク層と接合層とは、その間に、導電性を有し、且つヒートシンク層と接合層とが互いに相手方の層に拡散するのを抑制する機能を有する拡散抑制層が介挿された状態で接合されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
5F073AB29
, 5F073BA06
, 5F073DA22
, 5F073DA23
, 5F073EA29
, 5F073FA05
, 5F073FA13
, 5F073FA16
, 5F073FA18
, 5F073FA22
, 5F073FA27
出願人引用 (2件)
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特開昭64-27288号公報
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光半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-007517
出願人：沖電気工業株式会社
審査官引用 (6件)
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半導体レーザ装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-204570
出願人：松下電子工業株式会社
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光半導体素子搭載用サブマウント
公報種別：公開公報
出願番号：特願平11-310018
出願人：京セラ株式会社
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特開昭59-159583
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