ダイヤモンド膜製造装置、ダイヤモンド膜製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：石島茂男 , 阿部英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-075404
公開番号（公開出願番号）：特開2007-247032
出願日： 2006年03月17日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】UNCDを形成する技術を提供する。【解決手段】グラファイトで構成されたカソード電極132とトリガ電極134の間にトリガ放電を発生させ、アノード電極131とカソード電極132の間にアーク放電を誘起させ、カーボン蒸気のイオンを真空槽10内に放出させる。真空槽10内は水素ガス雰囲気にしておき、電荷を有するカーボン蒸気を成膜対象物20に到達させる。成膜対象物20の表面にSiC膜22を形成しておくと、UNCDが成長する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

真空槽と、筒状のアノード電極と、前記アノード電極内に配置されたグラファイトから成るカソード電極と、前記アノード電極内に配置され前記カソード電極とは離間されたトリガ電極と、前記真空槽に設けられた水素ガス導入系とを有するダイヤモンド膜製造装置。

IPC (3件)：

C23C 14/06 , C23C 14/24 , C30B 29/04

FI (3件)：

C23C14/06 F , C23C14/24 F , C30B29/04 C

Fターム (15件)：

4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DA12 , 4G077EF03 , 4G077EG25 , 4G077SA04 , 4G077SA11 , 4K029AA02 , 4K029BA34 , 4K029BB08 , 4K029CA01 , 4K029DB02 , 4K029DB08 , 4K029DB15 , 4K029DB17

引用特許：

出願人引用 (2件)

2004-307241号公報
2005-15325号公報

審査官引用 (7件)

成膜装置および成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-000844 出願人：ソナック株式会社
蒸着源及び成膜装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-172607 出願人：株式会社アルバック
特開平2-120245

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