特許
J-GLOBAL ID:200903047656614619
有機金属供給装置および有機金属気相成長装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
谷 義一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-215910
公開番号(公開出願番号):特開平9-063965
出願日: 1995年08月24日
公開日(公表日): 1997年03月07日
要約:
【要約】【課題】 有機金属の供給が安定な有機金属供給装置を提供する。【解決手段】 有機金属供給装置は、バブラーから供給される有機金属ガスを含むキャリアガス内の有機金属ガスの分圧を検出し、それを一定値に保つようにバブラー内の圧力を制御する手段を有する。
請求項(抜粋):
有機金属の入ったバブラー内の圧力を所定の値に保ちつつ、該バブラー内においてキャリアガスをバブリングすることにより該有機金属ガスを供給するガス供給手段と、該バブラーの下流にあってキャリアガス中の有機金属ガスの分圧を検出する分圧検出手段とを有する有機金属供給装置において、前記分圧検出手段からの信号により前記ガス供給手段におけるバブラー内の圧力を制御して、キャリアガス中の有機金属ガスの分圧を一定に保つ手段を備えていることを特徴とする有機金属供給装置。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 21/205
, C23C 16/44 D
引用特許:
審査官引用 (10件)
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特開昭62-256424
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特開平4-362176
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半導体装置用誘電体の製造装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-294797
出願人:株式会社日立製作所
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化合物半導体製造装置及び有機金属材料容器
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-071381
出願人:三菱電機株式会社
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特開平2-043721
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特開平1-255214
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特開平1-096922
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特開平4-078131
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化合物半導体結晶の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-254373
出願人:日本電信電話株式会社
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気相成長装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-242202
出願人:富士通株式会社
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