特許
J-GLOBAL ID:200903047789291103
カーボンナノチューブの作製方法、及びカーボンナノチューブの作製用基板
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
杉村 興作
, 高見 和明
, 徳永 博
, 藤谷 史朗
, 来間 清志
, 大山 健次郎
, 冨田 和幸
, 阿相 順一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-092471
公開番号(公開出願番号):特開2005-272284
出願日: 2004年03月26日
公開日(公表日): 2005年10月06日
要約:
【課題】プラズマCVD法において、高密度に垂直配向し、直線状のCNTを簡易に作製する。【解決手段】基材S11上において、チタン膜S12及び触媒金属膜S13が順次に形成された基板Sを準備する。次いで、所定の成膜容器11内に設けられたカソード電極12に基板Sを配置する。次いで、カソード電極12の上方にグリッド電極17を配置する。次いで、成膜容器11内に原料ガスを流すとともに、前記原料ガスをプラズマ化し、基板S上にカーボンナノチューブを形成する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
所定の基材上において、チタン膜及び触媒金属膜が順次に形成された基板を準備する工程と、
IPC (5件):
C01B31/02
, B01J3/00
, B01J19/08
, B82B3/00
, H01G9/058
FI (5件):
C01B31/02 101F
, B01J3/00 J
, B01J19/08 E
, B82B3/00
, H01G9/00 301B
Fターム (26件):
4G075AA22
, 4G075BC04
, 4G075CA02
, 4G075CA51
, 4G075CA65
, 4G075DA01
, 4G075DA18
, 4G075EB42
, 4G075EC21
, 4G075FA01
, 4G075FA12
, 4G075FB02
, 4G146AA11
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC31A
, 4G146BC31B
, 5H018AA01
, 5H018BB01
, 5H018BB07
, 5H018DD05
, 5H018DD10
, 5H018EE05
, 5H018HH03
引用特許:
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