特許
J-GLOBAL ID：200903047799129789
SOI基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-358758
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191557
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【課題】 半導体層が酸化膜を介して半導体基板上に重ね合わされているSOI基板において、大きなゲッタリング能力を有し半導体層を重金属不純物で汚染させない。【解決手段】 表面に酸化膜12を有するp型の第1シリコン基板11の表面から水素イオンを注入して第1シリコン基板内部にイオン注入領域11aを形成する。支持基板となるp型の第2シリコン基板13の片面又は両面にポリシリコン層14を形成する。ポリシリコン層14を鏡面研磨した後、酸化膜12にポリシリコン層14が密着するように第1シリコン基板に第2シリコン基板を重ね合わせて密着させ、熱処理して第1シリコン基板をイオン注入領域11aで第2シリコン基板から分離して第2シリコン基板の表面にシリコン層11bを形成する。この第2シリコン基板を更に熱処理する。
請求項（抜粋）：
p型の第1シリコン基板(11)の表面に酸化膜(12)を形成する工程と、前記第1シリコン基板(11)の表面から水素イオンを注入して前記第1シリコン基板(11)内部にイオン注入領域(11a)を形成する工程と、支持基板となるp型の第2シリコン基板(13)の片面又は両面にポリシリコン層(14)を形成する工程と、前記ポリシリコン層(14)を鏡面研磨する工程と、前記酸化膜(12)に前記ポリシリコン層(14)が密着するように前記第1シリコン基板(11)に前記第2シリコン基板(13)を重ね合わせて密着させる工程と、前記第1シリコン基板(11)を第2シリコン基板(13)に密着させたまま所定の温度で熱処理して前記第1シリコン基板(11)を前記イオン注入した領域(11a)で前記第2シリコン基板(13)から分離して前記第2シリコン基板(14)の表面にシリコン層(11b)を形成する工程と、表面にシリコン層(11b)を有する前記第2シリコン基板(14)を更に熱処理する工程とを含むSOI基板の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/322
, H01L 21/205
, H01L 21/265
, H01L 27/12
H01L 21/322 P
, H01L 21/205
, H01L 27/12 B
, H01L 21/265 Q
