半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-109215
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291866
出願日： 2000年04月11日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】半導体基板とシリコン酸化膜の界面での窒素原子および水素原子による界面準位の増加を防止する。【解決手段】窒素プラズマ中に晒して、SiO2 膜の表面層をSiN膜3に改質して、SiO2 膜2とSiN膜3の二層構造のゲート絶縁膜10とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極を具備する半導体装置の製造方法において、前記ゲート絶縁膜の形成工程が、半導体基板を熱酸化して第一のシリコン酸化膜を形成する工程と、前記第一の酸化膜の表面層を窒素雰囲気中でプラズマ処理し、シリコン窒化膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 21/283 , H01L 21/316 , H01L 21/318

FI (5件)：

H01L 21/283 N , H01L 21/316 S , H01L 21/316 M , H01L 21/318 A , H01L 29/78 301 G

Fターム (35件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB40 , 4M104CC05 , 4M104DD45 , 4M104DD55 , 4M104DD86 , 4M104DD89 , 4M104EE03 , 4M104EE12 , 4M104EE17 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F040DA06 , 5F040DB01 , 5F040DB07 , 5F040DC01 , 5F040EC07 , 5F040ED01 , 5F040ED02 , 5F040ED05 , 5F040EK01 , 5F040FC02 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF55 , 5F058BF62 , 5F058BF74 , 5F058BH16 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (5件)

薄膜窒化珪素または酸化窒化珪素ゲート誘電体の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-335805 出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
シリコン絶縁膜の熱処理方法並びに半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-095831 出願人：ソニー株式会社
特開昭61-174759

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