特許
J-GLOBAL ID:200903048067473483
強誘電体薄膜材料、その製造方法およびそれを用いた赤外線検出素子
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-072586
公開番号(公開出願番号):特開平11-271142
出願日: 1998年03月20日
公開日(公表日): 1999年10月05日
要約:
【要約】【課題】 室温で高感度かつ簡易な構成の赤外線検出素子を実現することができる強誘電体薄膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】 Laで置換されたSBN(Sr0.48Ba0.51La0.01Nb2 O6:SBLN)の配向性の高い薄膜が、パルスレーザ堆積法によって、温度600°Cおよび圧力13Paの条件で、Pt/Ti/SiO2 /Si(100)基板上に反復可能に作製された。この配向は、堆積中に使用されるガス雰囲気によって、周囲N2 Oガスがc軸配向に有利であって、O2 ガスが(311)配向に有利であるように制御される。
請求項(抜粋):
Sr(1-X-Y) BaX LaY Nb2 O6 の組成を有する強誘電体薄膜材料の製造方法であって、Sr、Ba、Nb、Laを含むターゲットにエキシマレーザをパルス照射し、前記エキシマレーザ光により酸素ラジカルを生成する雰囲気ガス中において、前記ターゲットに対向して配置された基板上に前記強誘電体薄膜材料を堆積する、強誘電体薄膜材料の製造方法。
IPC (7件):
G01J 1/02
, G01J 5/02
, H01B 3/00
, H01B 3/12 313
, H01L 21/316
, H01L 27/14
, H01L 37/02
FI (7件):
G01J 1/02 Y
, G01J 5/02 A
, H01B 3/00 H
, H01B 3/12 313 F
, H01L 21/316 Y
, H01L 37/02
, H01L 27/14 K
引用特許:
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