CVD装置および磁気記録媒体の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田数彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-025041
公開番号（公開出願番号）：特開2000-226670
出願日： 1999年02月02日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】製膜室の内壁面に付着した薄膜の剥離現象が抑制されたプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】製膜室内で製膜原料ガスをプラズマ状態として基板表面に加速衝突させて製膜するラズマCVD装置において、製膜室の内壁表面が溝によって多数に分割された形状になされている。

請求項（抜粋）：

製膜室内で製膜原料ガスをプラズマ状態として基板表面に加速衝突させて製膜するプラズマCVD装置において、製膜室の内壁表面が溝によって多数に分割された形状になされていることを特徴とするCVD装置。

IPC (3件)：

C23C 16/513 , C23C 16/26 , G11B 5/84

FI (3件)：

C23C 16/50 F , C23C 16/26 Z , G11B 5/84 B

Fターム (14件)：

4K030AA09 , 4K030BA27 , 4K030CA02 , 4K030FA01 , 4K030KA20 , 4K030KA30 , 4K030LA20 , 5D112AA07 , 5D112AA24 , 5D112BC05 , 5D112FA10 , 5D112FB21 , 5D112FB24 , 5D112GB03

引用特許：

審査官引用 (7件)

薄膜形成装置及びその動作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-185353 出願人：株式会社リコー
成膜装置用構成部品及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-108165 出願人：日本真空技術株式会社
プラズマ処理による薄膜形成装置及び薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-078471 出願人：株式会社日立製作所

全件表示

前のページに戻る