特許
J-GLOBAL ID：200903048266804545

シリコン基板の反り変形方法

発明者：
曽我 哲夫

曽我 哲夫 について

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梅野 正義

梅野 正義 について

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神保 孝志

神保 孝志 について

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タルン シャルダ

タルン シャルダ について


出願人/特許権者：
科学技術振興事業団

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代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-025646
公開番号（公開出願番号）：特開2002-228798
出願日： 2001年02月01日
公開日（公表日）： 2002年08月14日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板Sに微結晶ダイヤモンド薄膜Dを堆積させ、シリコン基板S/ダイヤモンド薄膜D間の応力によってシリコン基板Sを反り変形させる。【構成】 電気伝導性サセプタ4を介し回転可能な基板支持台2に載置されたシリコン基板Sに微結晶質のダイヤモンド薄膜DをプラズマCVD法で堆積させ、シリコン基板S/ダイヤモンド薄膜D間の応力でシリコン基板を反り変形させる際、好ましくは負電圧-200〜-400Vの負バイアスをシリコン基板Sに印加する。シリコン基板Sの載置部を除くサセプタ4の表面は、プラズマP中にあるカーボンの正イオン全てがシリコン基板Sに導かれるように、石英板5等の絶縁材料で覆うことが好ましい。
請求項（抜粋）：
電気伝導性サセプタを介して基板支持台に載置されたシリコン基板の表面にダイヤモンド薄膜をプラズマCVD法で堆積させ、シリコン基板とダイヤモンド薄膜との間に生じる応力でシリコン基板を反り変形させる際、シリコン基板に負バイアスを印加してダイヤモンド薄膜を微結晶質にすることを特徴とするシリコン基板の反り変形方法。
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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