特許
J-GLOBAL ID:200903048268017915
成膜装置および太陽電池
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山口 巖
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-002588
公開番号(公開出願番号):特開平10-041237
出願日: 1997年01月10日
公開日(公表日): 1998年02月13日
要約:
【要約】【課題】膜付着部材に付着したa-Si膜または金属膜が剥離しがたく、セル特性が安定して得られ、稼働率が高い成膜装置と高特性の太陽電池を提供する。【解決手段】プラズマ化学気相成長またはスパッタリングにより薄膜を基板上に成膜する成膜室2b、2cまたは2dを有する成膜装置2において、前記成膜室内の薄膜が堆積する膜付着部材の表面は凹凸化されていることとする。前記凹凸の大きさの概略平均値は、面内方向には20μm 以上、面に垂直方向には10μm 以上であり、また、前記凹凸はサンドブラスト処理により形成されると良い。3aは下部電極、3bは上部電極、3dは防着板である。前記成膜装置により製造された太陽電池において、シャント抵抗は1 kΩ/cm2以上とする。
請求項(抜粋):
プラズマ化学気相成長またはスパッタリングにより薄膜を基板上に成膜する成膜室を有する成膜装置において、前記成膜室内の薄膜が堆積する膜付着部材の表面は凹凸化されていることを特徴とする成膜装置。
IPC (3件):
H01L 21/205
, H01L 21/203
, H01L 31/04
FI (4件):
H01L 21/205
, H01L 21/203 S
, H01L 31/04 T
, H01L 31/04 B
引用特許:
審査官引用 (6件)
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特開昭64-047019
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特開平2-285067
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半導体成膜装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-198184
出願人:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
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