特許

J-GLOBAL ID：200903048339823446

半導体装置及びその製造方法

発明者： 有隅 修 ,  今井 馨太郎 ,  山川 晃司 ,  文 範基
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (6件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-147889
公開番号（公開出願番号）：特開2004-056108
出願日： 2003年05月26日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】特性や信頼性に優れたキャパシタを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】下部電極11、12と、上部電極14、15と、上部電極と下部電極との間に介在し、Pb、Zr、Ti及びOを含有したペロブスカイト型の強誘電体で形成された誘電体膜13とを備えた半導体装置であって、誘電体膜は、複数の方向の粒界で区画された複数の結晶粒で形成された第1の部分13aを含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

下部電極と、 上部電極と、 前記上部電極と下部電極との間に介在し、Pb、Zr、Ti及びOを含有したペロブスカイト型の強誘電体で形成された誘電体膜と、 を備えた半導体装置であって、 前記誘電体膜は、複数の方向の粒界で区画された複数の結晶粒で形成された第1の部分を含む ことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L27/105 ,  H01L21/316

FI (2件)：

H01L27/10 444C ,  H01L21/316 Y

Fターム (15件)：

5F058BA11 ,  5F058BB10 ,  5F058BC03 ,  5F058BF12 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02 ,  5F083FR01 ,  5F083GA21 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083JA45 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置と、これらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-215467   出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-148046   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 強誘電体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-156456   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 強誘電体キャパシタおよび半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-336576   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法、および強誘電体キャパシタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-152943   出願人：富士通株式会社